近日，在深圳舉辦的行家說第三代半導(dǎo)體年會——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表齊聚一堂，共同探討和見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。在12月12日晚的頒獎典禮上，英諾賽科憑借在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越貢獻(xiàn)和創(chuàng)新實力，榮獲“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”等三項榮譽，這也是英諾賽科連續(xù)第三年獲得該獎項的認(rèn)可。

“行家極光獎”作為行業(yè)內(nèi)極具影響力的獎項，由行家說創(chuàng)辦并每年舉辦一屆，旨在表彰在碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新、推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的企業(yè)。本次頒獎典禮特別設(shè)立了“十強企業(yè)榜單”“年度企業(yè)”和“年度優(yōu)秀產(chǎn)品”三大獎項，以樹立行業(yè)標(biāo)桿，提升企業(yè)品牌認(rèn)知度和影響力，為行業(yè)發(fā)展注入更多創(chuàng)新力和推動力。

作為氮化鎵功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者，英諾賽科擁有全球最大的八英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)制造能力，并率先實現(xiàn)了氮化鎵高、低壓芯片的量產(chǎn)。在2024年，英諾賽科繼續(xù)深耕氮化鎵平臺，基于高性能、高可靠性的八英寸晶圓，進(jìn)行了產(chǎn)品的研發(fā)和應(yīng)用技術(shù)的開發(fā)與推廣，實現(xiàn)了行業(yè)內(nèi)的創(chuàng)新與突破。根據(jù)招股書，截至2024年6月30日，以折算氮化鎵分立器件計，累計出貨量超過850百萬顆，彰顯了其在市場中的強勁實力。

在此次頒獎典禮上，英諾賽科憑借先進(jìn)的氮化鎵技術(shù)和卓越的市場開拓能力，被評為“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”和“中國氮化鎵十強企業(yè)”。這兩項榮譽的獲得，不僅是對英諾賽科在氮化鎵領(lǐng)域創(chuàng)新成果的肯定，更是對其在推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面所做貢獻(xiàn)的認(rèn)可。

除了企業(yè)榮譽外，英諾賽科的40V車規(guī)級產(chǎn)品INN040FQ045A-Q也榮獲了“年度影響力產(chǎn)品”獎。該產(chǎn)品是英諾賽科基于40V車規(guī)平臺開發(fā)的一款超小封裝的氮化鎵車規(guī)芯片，已通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。該芯片具備小體積、低損耗、高頻高功率的優(yōu)點，是繼車載激光雷達(dá)之后第二款打入車規(guī)前裝市場的氮化鎵芯片。它可以滿足UMM（USB Multi-Connect Module）及UCM（USB Charging Module）等車載充電通訊模塊的大功率充電和高頻通訊需求，為新能源汽車的智能化、便捷化提供了有力支持。

值得一提的是，除了本次極光獎的三項榮譽外，英諾賽科在2024年還榮獲了國際電子成就獎（最佳功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器）、“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎、GaN行業(yè)卓越獎、OPPO 2024最具創(chuàng)新獎等多項榮譽。這些榮譽的獲得，進(jìn)一步證明了英諾賽科在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位和創(chuàng)新實力。

展望未來，英諾賽科將繼續(xù)秉持創(chuàng)新理念，不斷增強產(chǎn)品競爭力，與合作伙伴攜手共進(jìn)，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。

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